碳化硅作為第三代寬禁帶半導體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和漂移速度以及更高的抗輻射能力，是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想材料，是未來半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向，將成為支撐5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、新能源汽車及充電樁、特高壓輸變電及軌道交通等"新基建"的關(guān)鍵核心材料。

國內(nèi)要實現(xiàn)“碳中和”，需要發(fā)力的方向很多：供給端擴大光伏發(fā)電、風電發(fā)電；需求端提升新能源車比例；輸送端發(fā)力特高壓，***發(fā)展新能源！而SIC碳化硅，正是光伏、新能源車、特高壓的上游材料，憑借低功耗、耐高溫、耐高壓的優(yōu)勢，廣泛應用于光伏逆變器、特高壓基站、新能源車功率器件！

碳化硅作為底層材料，比傳統(tǒng)的硅基性能更加優(yōu)異，目前在功率半導體當中滲透率不足10%，未來有90%的滲透空間，市場規(guī)模超過2400億！ 碳化硅的設(shè)備供應商和碳化硅的生產(chǎn)商中的龍頭，是***有希望走出一波大行情的。